特許

J-GLOBAL ID：200903060245781626

メモリ装置

発明者： 田村 泰孝 ,  吉田 親子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-116034
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307073
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 メモリ装置に関し、ソリッド・ステートの半導体メモリ並びにディスク型メモリの両方の形式のメモリに於いて、大容量且つ不揮発性のメモリを簡単な手段で実現しようとする。【解決手段】 高い密度の自発分極を示す強誘電体層1並びに自発分極をしない常誘電体層2を積層してなる誘電体積層体、誘電体積層体の選択された微小領域に情報を書き込む為に強誘電体層1の分極を反転するに充分な電圧或いは電流を加え或いは該選択された微小領域に書き込まれた情報を読み出す為に強誘電体層1の分極が反転しない程度の電圧或いは電流を加えるプローブ電極4、誘電体積層体の選択された微小領域に書き込まれた情報を読み出す為に強誘電体層1の分極が反転しない程度の電圧或いは電流を加えた際に誘電体積層体に流れる電流或いは電位降下をセンスする為の例えば電源を含む書き込み及び読み出し回路6を備える。

請求項（抜粋）：

高い密度の自発分極を示す強誘電体並びに該強誘電体に於ける自発分極の密度に比較して低い密度の自発分極を示すか或いは自発分極をしない誘電体を積層してなる誘電体積層体と、該誘電体積層体に於ける選択された微小領域に情報を書き込む為に該強誘電体の分極を反転するに充分な電圧或いは電流を加え或いは該選択された微小領域に書き込まれた情報を読み出す為に該強誘電体の分極が反転しない程度の電圧或いは電流を加える手段と、該誘電体積層体に於ける選択された微小領域に書き込まれた情報を読み出す為に該強誘電体の分極が反転しない程度の電圧或いは電流を加えた際に該誘電体積層体に流れる電流或いは電位降下をセンスする手段とを備えてなることを特徴とするメモリ装置。