特許

J-GLOBAL ID：200903060247032671

半導体発光素子の製造方法

発明者： 岩本 昌伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-125528
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308378
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子を製造する際、発光波長に対応して最適な発光効率と出力変動率が安定して得られる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 減圧MOCVD法でn型GaAs基板22上にn型GaAsバッファ層34、光反射層35、n型InAlPとn型In0.5(Ga0.4Al0.6)0.5Pの対からなる第1のクラッド層36、undopeIn0.5(Ga(1-x)Alx)0.5P活性層23、p型InAlPとp型In0.5(Ga0.4Al0.6)0.5Pの対からなる第2のクラッド層37、電流拡散層38等を順次エピタキシャル成長によって形成する際、各層のエピタキシャル成長工程を、活性層23のAl混晶比xによってTg=100×(x)+710(°C)で得られる最適成長温度Tgで実行する。

請求項（抜粋）：

減圧MOCVD法で所定導電型GaAs基板上に、少なくともバッファ層、ダブルヘテロIn0.5(Ga(1-x)Alx)0.5P発光層が備えられるよう各層を順次エピタキシャル成長によって形成する半導体発光素子の製造方法において、前記発光層のエピタキシャル成長工程を、該発光層のAl混晶比xによって規定される所定成長温度で実行するようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 A ,  H01L 21/205

Fターム (20件)：

5F041AA03 ,  5F041AA09 ,  5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-234477
  
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-193184   出願人：株式会社東芝