特許
J-GLOBAL ID：200903060247334414

トレンチゲートパワーMOSFET

発明者：
リチャード・ケイ・ウィリアムズ

リチャード・ケイ・ウィリアムズ について


出願人/特許権者：
シリコニックス・インコーポレイテッド

シリコニックス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-160633
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102607
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 保護拡散領域を有するとともにセル密度の向上された、改善されたトレンチゲートMOSFETを提供すること。【解決手段】 半導体材料と、半導体材料の表面に形成された溝の中に配置されたゲートと、保護拡散領域とを含むトレンチゲートパワーMOSFETであって、溝によって複数のMOSFETセルが画定され、MOSFETセルの各々は第1導電型のソース領域と前記ソース領域に隣接した第2導電型のボディ領域とを含んでおり、ソース領域とボディ領域は溝の側面に接しており、保護拡散領域は第2導電型であり、第1導電型の領域に隣接してダイオードを形成しており、ダイオードがMOSFETセルの各々のチャネル領域に対し並列に接続されていることを特徴とするMOSFETを提供する。
請求項（抜粋）：
半導体材料と、前記半導体材料の表面に形成された溝の中に配置されたゲートと、保護拡散領域とを含むトレンチゲートパワーMOSFETであって、前記溝によって複数のMOSFETセルが画定され、前記MOSFETセルの各々は第1導電型のソース領域と前記ソース領域に隣接した第2導電型のボディ領域とを含んでおり、前記ソース領域と前記ボディ領域は前記溝の側面に接しており、前記保護拡散領域は第2導電型であり、第1導電型の領域に隣接してダイオードを形成しており、前記ダイオードが前記MOSFETセルの各々のチャネル領域に対し並列に接続されていることを特徴とするMOSFET。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/866
FI (3件)：
H01L 29/78 657 B ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/90 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM