特許

J-GLOBAL ID：200903060247825132

エッチング方法および不純物の活性化方法、シリコン層の結晶化方法、薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 橋爪 勉
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175361
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021038
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 ソース・ドレイン領域に注入された不純物を金属製のゲート電極に対して自己整合的にレーザ照射で活性化する薄膜トランジスタの製造方法。【効果】 オフ電流が極めて小さな薄膜トランジスタを大面積のガラス基板上に製作でき、高精細、高コントラスト、高開口率、無欠陥のアクティブマトリクス型液晶表示体を製造することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に導電性薄膜と絶縁性薄膜を順次重ねて形成し、同じ形状に平面的にパターニングする工程と、この基板を電解溶液中に浸し電流を上記パターニングされた導電性薄膜に流して電解することにより上記導電性薄膜をサイドエッチングする工程を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/265 B ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 29/78 311 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-235385
  
• 特開平2-228043
  
• 特開平3-104209