特許

J-GLOBAL ID：200903060251795825

半導体製造装置

発明者： 金子 豊 ,  大路 譲 ,  牛山 雅弘 ,  金友 正文 ,  松島 勝 ,  伊野 忠雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-114269
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316162
出願日： 1995年05月12日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置の反応チャンバのガスの流れの均一化,高真空高速排気,清浄化により、高性能で、品質ばらつきの少ない半導体素子を製造する。【構成】真空チャンバ1内に反応チャンバ2を備えた2重構造の反応室と、真空チャンバ1と半導体ウエハ5が隔てられ、半導体ウエハ5の表面が接する反応チャンバ2内に反応ガスを供給する導入系6と、半導体ウエハ5の裏面が接する真空チャンバ1内に不活性ガスの導入系7と、反応チャンバ2外に設けた半導体ウエハ加熱装置と、真空チャンバ1と反応チャンバ2を個々に真空排気する手段とを設けた。

請求項（抜粋）：

ステンレスからなる真空チャンバと、上記真空チャンバ内に石英からなる反応チャンバを備えた2重構造の反応室と、上記真空チャンバと上記反応チャンバは半導体ウエハにより隔てられ、上記半導体ウエハの表面が接する上記反応チャンバ内に反応ガスを供給する手段と、上記半導体ウエハの裏面が接する上記反応チャンバ外に不活性ガスを供給する手段と、上記反応チャンバ外に設けた上記半導体ウエハ加熱装置と、上記真空チャンバと上記反応チャンバを個々に真空排気する手段とを含むことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/22 511 A ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205