特許

J-GLOBAL ID：200903060257786003

半導体ウエハの化学機械研磨後の基板洗浄方法

発明者： 河上 桂子 ,  佐近 正 ,  木下 俊哉
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253952
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097400
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 タングステン膜およびシリコン酸化膜を含む半導体ウエハの化学機械研磨後の基板の洗浄後の段差が小さく次工程に影響を与えない範囲内であり、かつ付着した粒子を完全に除去することができる洗浄方法を提供する。【解決手段】 1×10-5mol/l以上1×10-3mol/l未満の過酸化水素水を含むpHが10以上12未満、温度70°C以上90°C未満のアンモニア過酸化水素水溶液で洗浄する方法、およびpHが10以上15未満、温度70°C以上90°C未満のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイト水溶液で洗浄する方法。

請求項（抜粋）：

1×10-5mol/l以上1×10-3mol/l未満の過酸化水素水を含むpHが10以上12未満、温度70°C以上90°C未満のアンモニア過酸化水素水溶液を洗浄液として用いることを特徴とするタングステン膜およびシリコン酸化膜を含む半導体ウエハの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 321 A