特許

J-GLOBAL ID：200903060265962260

負の抵抗温度特性を有する半導体磁器及びそれからなる突入電流防止用素子並びにそれからなるモーター起動遅延用素子

発明者： 石川 輝伸 ,  中山 晃慶 ,  新見 秀明 ,  橘高 敏彦 ,  鷹木 洋 ,  伴野 国三郎
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011720
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176406
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 定常状態において、低比抵抗でかつB定数が大きく、大電流を流すことができる負の抵抗温度特性を有する半導体磁器を提供する。【構成】 負の抵抗温度特性を有する半導体磁器を構成する場合に、希土類遷移元素系酸化物(但し、希土類のうちCeを除き、Yを含む)を主成分とし、これにSi,Zr,Hf,Ta,Sn,Sb,W,Mo,Te,Ceのうち少なくとも1種を添加する。また添加物を0.001〜10mol %とする。上記希土類遷移元素系酸化物にLaCo系酸化物を採用する。

請求項（抜粋）：

希土類遷移元素系酸化物(但し、希土類のうちCeを除き、Yを含む)を主成分とし、これにSi,Zr,Hf,Ta,Sn,Sb,W,Mo,Te,Ceのうち少なくとも1種を添加してなることを特徴とする負の抵抗温度抵抗特性を有する半導体磁器。

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭51-059396
  
• 特開昭51-073287
  
• 特開昭63-291402
  
• 特開平1-290549
  
• 特開昭51-093396