半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-232979
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049001
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

【課題】素子特性の劣化を可及的に防止することを可能にする。【解決手段】半導体基板21と、半導体基板上に設けられ金属および酸素を含むゲート絶縁膜24と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極26と、ゲート電極の両側の半導体基板に設けられたソース/ドレイン領域30a、30bと、を備え、ゲート絶縁膜は、添加元素として5族、6族、15族、16族元素のうちから選択された少なくとも1つの元素を0.003at%以上3at%以下の濃度で含んでいる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ金属および酸素を含むゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に設けられたソース/ドレイン領域と、を備え、前記ゲート絶縁膜は、添加元素として5族、6族、15族、16族元素のうちから選択された少なくとも1つの元素を0.003at%以上3at%以下の濃度で含んでいることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (121件)：

5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP44 , 5F083EP56 , 5F083EP63 , 5F083EP68 , 5F083ER21 , 5F083GA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR15 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F101BA26 , 5F101BA28 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD07 , 5F101BD35 , 5F101BE07 , 5F101BH06 , 5F101BH09 , 5F110AA14 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110QQ08 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BA03 , 5F140BA05 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BF01 , 5F140BF03 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-082614 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-082614 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-261896 出願人：株式会社日立製作所

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