半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074491
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330390
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】向上された強誘電性(即ち、残留分極)を有する低電圧で作動する半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】拡散層2を有する集積回路が形成された半導体基板1と、半導体基板1及び集積回路を覆うように形成された第1層間絶縁膜6と、第1層間絶縁膜6上に形成され、下部電極7、強誘電体膜8及び上部電極9で構成された強誘電体キャパシター10と、強誘電体キャパシター10に対して引張応力を有するように強誘電体キャパシター10及び第1層間絶縁膜6上に形成された第2層間絶縁膜11と、層間絶縁膜11の第1コンタクトホール12aを通じて拡散層2及び下部電極7に到達する第1金属配線12と、強誘電体キャパシター10に対して引張応力を有するように第1金属配線12及び第2層間絶縁膜11を覆う第3層間絶縁膜13と、第3層間絶縁膜13の第2コンタクホールを通じて上部電極9に到達するように形成された第2金属配線14とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの拡散層を有する集積回路が形成される半導体基板上に前記集積回路を覆う第1層間絶縁膜を形成する段階と、前記第1層間絶縁膜上に下部電極、強誘電体膜及び上部電極で構成された強誘電体キャパシターを形成する段階と、前記強誘電体キャパシターに対して引張応力を有するように、前記強誘電体キャパシター及び前記第1層間絶縁膜を覆う第2層間絶縁膜を形成する段階と、前記第2層間絶縁膜に前記拡散層及び前記下部電極に到達する第1コンタクトホールを形成する段階と、前記第1コンタクトホールを形成した後、酸素雰囲気で第1熱処理を遂行する段階と、前記第1熱処理を遂行した後、前記第1コンタクトホールを通じて前記拡散層及び前記下部電極に到達する第1金属配線を形成する段階と、前記強誘電体キャパシターに対して引張応力を有するように、前記第1金属配線及び前記第2層間絶縁膜を覆う第3層間絶縁膜を形成する段階と、前記第3層間絶縁膜に前記上部電極に到達する第2コンタクトホールを形成する段階と、前記第1コンタクトホールを形成した後、酸素雰囲気で第2熱処理を遂行する段階と、前記第2コンタクトホールを通じて前記上部電極に到達する第2金属配線を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 Z , H01L 29/78 371

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