特許

J-GLOBAL ID：200903060273088235

ナノ構造体の製造方法及びナノ構造体

発明者： 田 透 ,  岩崎 達哉
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187668
公開番号（公開出願番号）：特開2002-004087
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：

【要約】【課題】 陽極酸化により作製される細孔の乱れや欠陥を少なくし、より規則的なナノ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 Alを主成分とする被陽極酸化層を陽極酸化させて細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、該被陽極酸化層の表面に陽極酸化によりバリアー皮膜を作製したのち、バリアー皮膜の少なくとも一部を除去して細孔の形成位置を決めてから陽極酸化によるポーラス皮膜を作製するナノ構造体の製造方法。

請求項（抜粋）：

Alを主成分とする被陽極酸化層を陽極酸化させて細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、該被陽極酸化層の表面に陽極酸化によりバリアー皮膜を作製したのち、該バリアー層の下の該被陽極酸化層、もしくは該バリアー層を除去した後の該被陽極酸化層に陽極酸化によるポーラス皮膜を作製することを特徴とするナノ構造体の製造方法。

IPC (5件)：

C25D 11/12 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/16 302

FI (5件)：

C25D 11/12 Z ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C25D 11/04 302 ,  C25D 11/16 302