特許
J-GLOBAL ID:200903060275272602

高圧変成器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-551401
公開番号(公開出願番号):特表2002-509651
出願日: 1999年04月01日
公開日(公表日): 2002年03月26日
要約:
【要約】高圧変成器(Tr)は、一次巻線(Lp)、二次巻線(Ls1,Ls2,Ls3)及び連続する二次巻線(Ls1,Ls2,Ls3)の間に結合されるダイオード(Di)を具えている。ダイオード(Di)と二次巻線(Ls1,Ls2,Ls3)の極性は、各二次巻線(Ls1,Ls2,Ls3)間の帰線電圧(Vfs)が、高電圧(EHT)を発生するために帰線期間(Tf)の少なくとも一部分の期間中導通ダイオード(D1)を経て加算されるように選定する。ダンプ回路(1)は、整流素子(D)、負荷(L)高圧変成器(Tr)の他の巻線(Ls4)を具えている。これらの素子を二次巻線(Ls1,Ls2,Ls3)の1つに対して、前記他の巻線(Ls4)及び二次巻線(Ls1,Ls2,Ls3)のうちの前記1つの巻線が負荷(L)の両端にキャパシタンスを形成し、且つ前記整流素子(D)が帰線期間(Tf)中導通しないように配置する。このようにして、高圧変成器(Tr)の電気的な発振を抑えるようにする。
請求項(抜粋):
帰線期間(Tf)中、高電圧(EHT)を発生するように配置した高圧巻線(Ls1,Ls2,Ls3)と、 帰線期間(Tf)中、非導通となるように配置した整流素子(D)及び負荷(L)を有するダンプ回路(1)とを具えている高圧変成器(Tr)において、前記ダンプ回路(1)が前記高圧変成器(Tr)の他の巻線(Ls4)を具え、該他の巻線(Ls4)、前記整流素子(D)及び前記負荷(L)が、前記高圧巻線(Ls1,Ls2,Ls3)の1つに対して、前記他の巻線(Ls4)と、前記高圧巻線(Ls1,Ls2,Ls3)のうちの前記1つの巻線とが前記負荷(L)の両端間にキャパシタンス(Cd)を形成するように配置されるようにしたことを特徴とする高圧変成器(Tr)。
FI (2件):
H04N 3/195 ,  H01F 19/04 A

前のページに戻る