ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 後藤高志 , 井関勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-071454
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282913
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】ディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ10における薄膜圧電体素子30の薄膜圧電体層33の圧電定数が圧縮応力により低下するのを抑制するとともに、信頼性の高いアクチュエータ10を低コストで製造できるようにする。【解決手段】線膨張係数が薄膜圧電体層33よりも小さい基板を用いて、該基板上に、第1の電極層31、配向制御層32、薄膜圧電体層33及び第2の電極層34をこの順に形成して薄膜圧電体素子30を作製することで、該薄膜圧電体素子30の薄膜圧電体層33において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、0ないし引張応力となるようにする。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

第1の電極層と、該第1の電極層上に形成された配向制御層と、該配向制御層上に形成された薄膜圧電体層と、該薄膜圧電体層上に形成された第2の電極層とからなる2つの薄膜圧電体素子を有し、該2つの薄膜圧電体素子における第2の電極層側の面同士が接着されているとともに、該接着された2つの薄膜圧電体素子において一方の薄膜圧電体素子の第1の電極層側の面を除く表面全体が被覆材で覆われてなるディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータであって、上記2つの薄膜圧電体素子の各薄膜圧電体層において厚み方向と垂直な方向に作用している残留応力が、0ないし引張応力であることを特徴とするディスク装置用薄膜圧電体アクチュエータ。

IPC (7件)：

H02N2/00 , G11B5/596 , G11B21/10 , G11B21/21 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22

FI (8件)：

H02N2/00 B , G11B5/596 , G11B21/10 N , G11B21/21 D , H01L41/08 C , H01L41/08 U , H01L41/18 101Z , H01L41/22 Z

Fターム (9件)：

5D042LA01 , 5D042MA15 , 5D059AA01 , 5D059BA01 , 5D059DA26 , 5D059DA31 , 5D059DA33 , 5D059EA05 , 5D096NN03

前のページに戻る