特許
J-GLOBAL ID:200903060278406979
R-T-B系希土類永久磁石
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
大場 充
, 堀川 美夕紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-328277
公開番号(公開出願番号):特開2006-100847
出願日: 2005年11月14日
公開日(公表日): 2006年04月13日
要約:
【課題】低い着磁磁界でより高い着磁率を得るとともに、着磁特性曲線がより低高磁界側に存在するR-T-B系希土類永久磁石を提供する。【解決手段】R2T14B相(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、主相よりRを多く含む粒界相とを備えた焼結体からなり、Pc(パーミアンス係数)が2において、240kA/mの有効磁場(ただし、有効磁場=印加磁場-反磁場)を印加したときのトータルフラックスをf1、800kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf2、2000kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf3とすると、着磁率a(=f1/f3×100)が40%以上、かつ、着磁率b(=f2/f3×100)が90%以上である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
R2T14B相(ただし、RはYを含む希土類元素の1種又は2種以上、TはFe又はFe及びCoを必須とする1種又は2種以上の遷移金属元素)からなる主相と、
前記主相よりRを多く含む粒界相とを備えた焼結体からなり、
Pc(パーミアンス係数)が2において、
240kA/mの有効磁場(ただし、有効磁場=印加磁場-反磁場)を印加したときのトータルフラックスをf1、
800kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf2、
2000kA/mの有効磁場を印加したときのトータルフラックスをf3とすると、
着磁率a(=f1/f3×100)が40%以上、かつ、
着磁率b(=f2/f3×100)が90%以上であることを特徴とするR-T-B系希土類永久磁石。
IPC (2件):
FI (2件):
H01F1/04 H
, C22C38/00 303D
Fターム (6件):
5E040AA04
, 5E040BD01
, 5E040CA01
, 5E040NN01
, 5E040NN12
, 5E040NN13
引用特許:
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