熱電半導体の製造方法及び熱電半導体組成物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-341197
公開番号（公開出願番号）：特開2001-160635
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】熱電半導体ウエハのスライス回数の増加に起因する生産性の悪化、チップの歩留まりの悪化、1つのインゴットに対して取りうるチップの数の減少を防止すること。【解決手段】熱電半導体を熱間で圧延する塑性加工工程を含む熱電半導体の製造方法において、塑性加工工程による熱電半導体の厚みの減少率が、塑性加工工程の前後で50%以下とする。

請求項（抜粋）：

熱電半導体を熱間で圧延する塑性加工工程を含む熱電半導体の製造方法において、前記塑性加工工程による前記熱電半導体の厚みの減少率が、前記塑性加工工程の前後で50%以下であることを特徴とする熱電半導体の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

熱電半導体材料の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-063724 出願人：株式会社小松製作所, 小松エレクトロニクス株式会社

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