特許
J-GLOBAL ID：200903060288177579
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-039998
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243238
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】Si基板の裏面の結晶欠陥に捕獲された重金属汚染元素を基板外に除去し、再汚染を防止する。【構成】EGの目的で結晶欠陥4を導入してあるSi基板1の裏面に、半導体回路素子製造過程において、ハロゲンを含むガス中でレーザ光20を照射してアニールを行う。
請求項（抜粋）：
裏面に結晶欠陥が導入されたシリコン基板のこの裏面を、レーザ光照射によりアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/268
