特許

J-GLOBAL ID：200903060288539438

シリコンウェーハの製造方法

発明者： 宝来 正隆 ,  本山 勝則
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088298
公開番号（公開出願番号）：特開平6-321692
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年11月22日
要約：

【要約】【目的】 スループットの低下やコストの増大をなくし、また重金属汚染が低濃度で且つ重金属が深く拡散することなく、低BMD密度を実現する。【構成】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する際に、シリコンウェーハを700°C〜1200°Cの温度範囲で、昇温のみによる0秒から60秒の時間範囲で熱処理する。また、前記熱処理する際に、タングステン・ハロゲン・ランプを用いた赤外線輻射加熱により枚葉処理を行なう。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する際に、シリコンウェーハを700°C〜1200°Cの温度範囲で、昇温のみによる0秒から60秒の時間範囲で熱処理することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/00 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-249336
  
• 特開平3-240238
  
• 特開昭58-048380