特許
J-GLOBAL ID：200903060288709210
半導体装置の製造方法及びこれに使用できる基板洗浄装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-276506
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124887
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】半導体基板周辺のレジストを残渣をも含めて除去でき、よって基板周辺のレジストによる汚染、ダスト発生を抑えることができる半導体装置の製造方法、及びこれに使用できる基板洗浄装置の提供。【構成】半導体基板1上にフォトレジスト2を形成し、基板1周辺部のフォトレジスト2を洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法において、フォトレジスト溶剤による第1の洗浄工程と、この第1の洗浄工程における残渣除去のための第2の洗浄工程とを少なくとも備え、例えば第2の洗浄は、第1の洗浄(位置(a))よりも洗浄位置が基板周辺側にある(位置(b))か、あるいは第1の洗浄よりもレジスト溶解性が低い条件で洗浄を行う半導体装置の製造方法、及びこれに用いる基板洗浄装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にフォトレジストを形成し、基板周辺部のフォトレジストを洗浄除去する工程を有する半導体装置の製造方法において、フォトレジスト溶剤による第1の洗浄工程と、この第1の洗浄工程における残渣除去のための第2の洗浄工程とを少なくとも備える半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/16
, H01L 21/304 341
