特許

J-GLOBAL ID：200903060288955229

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-121370
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308381
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するIII族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したnサイドアップ型のIII族窒化半導体発光素子を提供する。【解決手段】p形導電性のSi単結晶からなる基板上に、BP系材料からなる緩衝層と、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。上記緩衝層、立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層、六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。

請求項（抜粋）：

p形導電性の珪素(Si)単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた、リン化硼素(BP)系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に接して設けられた、BP系材料からなる立方晶のp形単結晶層と、該p形単結晶層に接して設けられた立方晶のp形III族窒化物半導体結晶層と、該p形III族窒化物半導体結晶層上に設けられた六方晶のn形III族窒化物半導体結晶層とを具備するIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

Fターム (50件)：

4G077AA03 ,  4G077BE06 ,  4G077BE42 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05