アモルフアス多元系半導体および該半導体を用いた素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹健次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-198726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097413
出願日： 1982年11月01日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：

【要約】【構成】 C、N、O、Sよりなる元素の群から選ばれた1種以上の元素と、H並びにハロゲンよりなる元素の群から選ばれた1種以上の元素、及びSi、Ge、Snよりなる元素の群から選ばれた1種以上の元素とからなる半導体の一部又は全部が微結晶化しており、周期律表第 III族もしくは第V族の元素でドーピングされたことを特徴とするp型またはn型半導体、およびそれを用いた素子。【効果】本発明の半導体を太陽電池に応用すると、広い波長の太陽光を有効に利用できるとともに、微結晶シリコンの使用により抵抗成分が小さくなるのでキヤリヤーが有効に収集され光電変換効率が向上する。

請求項（抜粋）：

C、N、O、Sよりなる元素の群から選ばれた1種以上の元素と、H並びにハロゲンよりなる元素の群から選ばれた1種以上の元素、及びSi、Ge、Snよりなる元素の群から選ばれた1種以上の元素とからなる半導体の一部または全部が微結晶化しており、周期律表第 III族もしくは第V族の元素でドーピングされたことを特徴とするp型またはn型半導体。

IPC (10件)：

C01B 21/092 , C01B 21/083 , C01B 31/30 , C01B 33/00 , C01G 17/00 , C01G 19/00 , C03C 8/14 , H01L 21/31 , H01L 31/04 , B01J 19/08

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭57-026429
特開昭56-081925

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