特許
J-GLOBAL ID：200903060296350255
半導体発光素子の評価装置及び評価方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-093752
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267718
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 オン・ウェハ状態で光出力の測定を効率よく行うことができる評価装置及び評価方法を得る。【構成】 出力光に対して透明な基板8上に形成した回折格子9をレーザ素子2,3間に挿入し、回折格子9で出力光を上方に反射させて受光素子50に入射させる構成とする。
請求項（抜粋）：
分離溝により分離された複数の半導体発光素子の端面から略水平方向に出射される出力光をウエハ状態で測定する半導体発光素子の評価装置において、上記半導体発光素子の発光領域近傍に回折格子を有し、出力光に対して透明な基板と、該基板上の上記回折格子上方に配置された受光器とを備え、上記発光領域から出射された出力光を上記回折格子により反射させて上記受光器に入射させるようにしたことを特徴とする半導体発光素子の評価装置。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, G01R 31/26
, H01L 21/66
, H01S 3/18
