特許

J-GLOBAL ID：200903060301117831

誘電体薄膜素子

発明者： 佐藤 利江 ,  福島 伸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252091
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 ぺロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜を有する素子において、電極層との界面に形成される低誘電率の絶縁層や誘電体薄膜中の歪みや欠陥等の発生を防ぎ、実効的に高誘電率を得ることを可能にする。【解決手段】 Si電極11上に導電性バリヤー層12を設け、この導電性バリヤー層12上にペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜14を形成した誘電体薄膜素子である。誘電体薄膜14は導電性バリヤー層12との界面近傍に、遷移金属元素または希土類元素を濃度勾配を有するようにドープした導電性を示す遷移領域15を有している。

請求項（抜粋）：

電極層と、前記電極層上に形成されたペロブスカイト型酸化物からなる誘電体薄膜とを具備する誘電体薄膜素子において、前記誘電体薄膜は、前記電極層との界面近傍に遷移金属元素がドーピングされてなる遷移領域を有し、前記遷移領域は前記電極層側でドーパントの濃度が高濃度となるような濃度勾配を有することを特徴とする誘電体薄膜素子。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 B