特許

J-GLOBAL ID：200903060303015637

半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 尚俊
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 大西 孝治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215393
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251371
出願日： 1984年01月24日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 ウエハの裏面にエピタキシャル層を形成し、オートドーピング現象を防止する。【構成】 ウエハ用ホルダ3に末広がり状の傾斜面33を有する開口31を設け、ウエハ3の裏面にもエピタキシャル層が形成されるようにした。

請求項（抜粋）：

ウエハ用ホルダに末広がり状の傾斜面を有する開口を設け、ウエハ裏面にもエピタキシャル層が形成されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭52-044169
  
• 特開昭63-013324
  
• 特開昭62-128520
  
• 特開昭48-056581