特許

J-GLOBAL ID：200903060308018740

成膜方法及びその装置

発明者： 貝瀬 喜久夫 ,  山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045992
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243712
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 触媒CVD法の特長を生かしながら、堆積種(イオン、ラジカルなどの反応種)を十分な運動エネルギーで成膜し、基板にダメージを与えることなしに、またチャージアップを防止して、生成膜の基板との密着性向上、生成膜密度の向上、生成速度の向上、生成膜平滑性の向上、ビアホールなどへの埋め込み性とステップカバレージの向上、基板温度の低温化、生成膜の厚みムラの低減、生成膜のストレスコントロール等を可能とし、高品質膜を形成できる成膜方法と、この方法に用いる成膜装置を提供すること。【解決手段】 シランガスなどの原料ガス40を加熱されたタングステンなどの触媒体46に接触させ、これによって生成した堆積種又はその前駆体及び基板にエレクトロンシャワー100による電子を照射し、基板1上に多結晶シリコンなどの所定の膜を気相成長させる。

請求項（抜粋）：

原料ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した堆積種又はその前駆体及び基体に帯電防止用の荷電粒子を照射し、前記基体上に所定の膜を気相成長させる成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (59件)：

5F045AA16 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE29 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045CA15 ,  5F045DP05 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045EF18 ,  5F045EK07 ,  5F045HA03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HL03 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11