特許

J-GLOBAL ID：200903060313537577

基材上に酸化チタン光触媒薄膜を形成する方法および積層体

発明者： 大津 茂実 ,  圷 英一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186058
公開番号（公開出願番号）：特開2003-080066
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2003年03月18日
要約：

【要約】【課題】 低温でかつ簡便な工程および装置により、基材上に酸化チタン光触媒薄膜を形成する方法を提供すること、さらに、基材に酸化チタン光触媒薄膜を設けた積層体を提供すること。【解決手段】 真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、酸化チタン薄膜を設けた基材の、基材温度を25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に酸化チタン光触媒薄膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、酸化チタン薄膜を設けた基材の、基材温度を25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に酸化チタン光触媒薄膜を形成する方法。

IPC (6件)：

B01J 21/06 ,  B01J 35/02 ,  B01J 37/02 301 ,  B01J 37/34 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/08

FI (6件)：

B01J 21/06 M ,  B01J 35/02 J ,  B01J 37/02 301 P ,  B01J 37/34 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 E

Fターム (44件)：

4F100AA21B ,  4F100AA27C ,  4F100AK01A ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100EJ42 ,  4F100EJ54 ,  4F100GB41 ,  4F100JL02 ,  4F100JL08B ,  4F100JM02B ,  4F100JN06C ,  4F100JN18C ,  4F100YY00C ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA14B ,  4G069BA22A ,  4G069BA22B ,  4G069BA48A ,  4G069CA01 ,  4G069CA11 ,  4G069EA08 ,  4G069EB15X ,  4G069EB15Y ,  4G069EC25 ,  4G069EC28 ,  4G069ED02 ,  4G069ED06 ,  4G069FA01 ,  4G069FA03 ,  4G069FB01 ,  4G069FB02 ,  4G069FB39 ,  4G069FB58 ,  4G069FC07 ,  4K029AA11 ,  4K029BA48 ,  4K029BB10 ,  4K029GA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-358241   出願人：松下電器産業株式会社
• 光触媒性親水性表面を備えた自己浄化性部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265791   出願人：東陶機器株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-358241   出願人：松下電器産業株式会社
• 光触媒性親水性表面を備えた自己浄化性部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265791   出願人：東陶機器株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• A study of Tio2 powders as a support for the photochemical synthesis of ammonia

審査官引用 (1件)

• A study of Tio2 powders as a support for the photochemical synthesis of ammonia