特許

J-GLOBAL ID：200903060315069929

試料の表面処理方法および装置

発明者： 小野 哲郎 ,  水谷 巽 ,  浜崎 良二 ,  久礼 得男 ,  徳永 尚文 ,  児島 雅之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036226
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297679
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の微細化の要求に応えるために、加工寸法が1μm以下好ましくは0.5μm以下の素子を加工できる、半導体素子の表面処理方法および装置を提供する。【解決手段】 プラズマエッチングによる微細パタンの加工を行うための試料の表面処理装置であって、真空容器中に設けられ、表面処理される試料を載置する試料台と、プラズマの生成用の処理ガスを前記真空容器中に連続的に供給する処理ガス供給手段と、前記真空容器中に高密度のプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成とは独立に、100KHz以上のバイアス電圧を前記試料台に印可するバイアス電源と、前記バイアス電源を、100Hz〜10KHzの周波数で変調するパルス周波数制御手段を備え、前記試料台に載置された試料に対して、最小加工寸法が1μm以下の表面処理を行う。

請求項（抜粋）：

処理室内にプラズマを生成するとともに、前記プラズマの生成とは独立に試料が配置される試料台に高周波バイアス電圧を印加し、同一エッチング速度の得られる連続の高周波バイアス電圧のVpp値に対し、前記Vpp値より大きい値のVpp値を与えた高周波バイアス電圧をオンオフ制御することを特徴とする試料の表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 A ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300039   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ生成装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法、半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-304061   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマエッチング装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-059368   出願人：富士通株式会社
• 表面処理方法及び表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055419   出願人：株式会社日立製作所