特許
J-GLOBAL ID：200903060315442034
ショットキーバリアダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307385
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169087
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】電力用に適する高耐圧,大電流のショットキーバリアダイオードのオフ動作時のスイッチング損失を減少させる。【構成】n形の半導体領域2と,p形の第1ダイオード層3と、それよりも深く拡散されたp形の第2ダイオード層4と,ダイオード層3と4の間の半導体領域2の上側に配設したゲート6と,第1ダイオード層3と接続し半導体領域2の表面とショットキー接合を形成するバリア膜20とからショットキーバリアダイオードを構成し、制御端子Gに与えるゲート電圧Vgによって両ダイオード層3と4を相互に接続または分離可能にしておき、オン状態で両ダイオード層3と4を接続し、第2ダイオード層4を直前に切り離して空乏層領域DZ内のキャリア数を減らした上でダイオードをオフ動作させることにより、逆方向電流Irを減少させ逆回復時間Trを短縮してスイッチング損失を減少させる。
請求項（抜粋）：
一方の導電形の半導体領域と、その表面から拡散された他方の導電形の第1ダイオード層と、第1ダイオード層と導電接続しかつその一方側の半導体領域の表面とショットキー接合を形成するように設けられたバリア膜と、第1ダイオード層の他方側の半導体領域の表面から第1ダイオード層よりも深く拡散された他方の導電形の第2ダイオード層と、第1および第2ダイオード層の相互間の半導体領域の上側に配設されたゲートとを備え、バリア膜および半導体領域の側から1対の主端子を導出するとともにゲートからその下の半導体領域の表面のチャネルを制御する制御端子を導出し、オン状態ではチャネルを導通させチャネルを非導通状態にした上でオフ動作をさせるようにしたことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
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