特許
J-GLOBAL ID：200903060317588362
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275204
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086802
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト抵抗率の低減を図ると共にデバイス特性の安定化を図る。【解決手段】 n-型ドリフト層2の表面に4H又は6H-SiCからなる表面チャネル層5を形成したのち、レジスト20をマスクとして表面チャネル層5の不要部分を除去する。その後、レジスト20を除去し、再度、表面チャネル層5の表面にカーボン層21を配置する。このカーボン層21をマスクとした状態で3C-SiCからなる半導体層22をエピタキシャル成長させる。そして、半導体層22の所定領域にイオン注入を行うことで、n+型ソース領域5を形成する。これにより、表面チャネル層5を4Hまたは6H-SiCで形成でき、n+型ソース領域4となる半導体層22を3C-SiCで形成できるため、コンタクト抵抗率の低減を図ると共にデバイス特性の安定化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
主表面及び主表面と反対面である裏面を有し、炭化珪素からなる半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成された炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層(2)と、前記ドリフト層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域(3)と、前記ベース領域の表層部または表面の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅い炭化珪素からなる第1導電型のソース領域(4)と、前記ベース領域の表面部上において、前記ソース領域と前記ドリフト層とを繋ぐように形成された、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層(5)と、前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するように形成されたソース電極(10)と、前記半導体基板の裏面側に形成されたドレイン電極(11)とを備え、前記表面チャネル層は前記ドリフト層と同じ結晶構造で構成され、前記ソース領域のうち前記ソース電極と接触する部位は3Cで構成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 21/205
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 B
, H01L 21/205
, H01L 21/28 Z
, H01L 21/28 301 F
, H01L 29/78 658 A
, H01L 29/78 658 E
4M104AA03
, 4M104BB01
, 4M104CC01
, 4M104DD16
, 4M104DD26
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104GG18
, 4M104HH15
, 5F045AB03
, 5F045AB06
, 5F045AB07
, 5F045AB32
, 5F045AF02
, 5F045AF13
, 5F045AF20
, 5F045CA06
, 5F045CB05
, 5F045DA65
, 5F045HA12
, 5F045HA15
