薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112849
公開番号（公開出願番号）：特開2001-297877
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】青色発光薄膜エレクトロルミネッセンス素子を十分に低い温度で製造する。【解決手段】第一絶縁層(25)と第二絶縁層(27)とにより挟まれた希土類添加アルカリ土類チオアルミネート発光層(26)からなる薄膜積層体を、透明な基板上(23)に積層した少なくとも一方が透明な下部電極(24)と上部電極(28)との間に扶持する構造を持つ交流駆動薄膜エレクトロルミネッセンス(TFEL)素子を製造する時に、発光層(26)を少なくとも1種の有磯金属材料(例えばトリメチルアルミニウム)と少なくとも2種の固体無機材料(例えば金属バリウムと金属ユーロピウム)と硫化水素とを原料とし、分子線蒸着法により作製する。

請求項（抜粋）：

第一絶縁層と第二絶縁層とにより挟まれた希土類添加アルカリ土類チオアルミネート発光層からなる薄膜積層体を、透明な基板上に積層した少なくとも一方が透明な下部電極と上部電極との間に扶持する構造を持つ交流駆動薄膜エレクトロルミネッセンス(TFEL)素子を製造するにあたり、前記発光層を少なくとも1種の有機金属材料と少なくとも2種の固体無機材料と硫化水素(H2 S)とを原料とし、分子線蒸着法により作製することを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 , C23C 14/24 , H05B 33/14

FI (3件)：

H05B 33/10 , C23C 14/24 T , H05B 33/14 Z

Fターム (18件)：

3K007AB04 , 3K007AB18 , 3K007CA01 , 3K007CB01 , 3K007DA05 , 3K007DB00 , 3K007DC04 , 3K007EA02 , 3K007EC00 , 3K007FA01 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA51 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA01 , 4K029DB14 , 4K029EA05

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