特許

J-GLOBAL ID：200903060325447743

ドライエッチング方法

発明者： 北川 英夫 ,  鈴木 伸昌
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202952
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035834
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 エッチング形状が良好であり、有機低誘電率絶縁膜の膜質の劣化がなく、且つエッチング速度の速いドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、エッチングガスとしてフッ素を容易に遊離するガスと炭化水素ガス、あるいは、フッ素を容易に遊離するガスと炭化水素ガスと希ガスを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うドライエッチング方法。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、フッ素を容易に遊離するガスと炭化水素ガスとを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、該プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 S

Fターム (34件)：

5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004CA06 ,  5F004CB02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA06 ,  5F004EA13 ,  5F004EA30 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK09 ,  5F033MM01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00