特許
J-GLOBAL ID：200903060326493854

フォトマスク内の臨界寸法の変動を補正するための方法

発明者：
ザイ、エイタン

ザイ、エイタン について

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ミトリエフ、ウラディミール

ミトリエフ、ウラディミール について

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グレトスキー、ニコライ

グレトスキー、ニコライ について

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オズエムコフ、セルゲイ

オズエムコフ、セルゲイ について

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ベン-ツヴィ、ガイ

ベン-ツヴィ、ガイ について


出願人/特許権者：
ユーシーエルティ リミテッド

ユーシーエルティ リミテッド について


代理人 (2件)： 齋藤 和則 ,  伊東 哲也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-520105
公開番号（公開出願番号）：特表2007-531249
出願日： 2004年07月18日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：
対応するフォトマスクのCDを補正することにより、ウェハのパターン線の臨界寸法(CD)の変動を補償するための方法。フォトマスクは、2つのほぼ対向する面、すなわち、第1の背面および第2の前面を有する透明基板を有し、前面上には吸収性コーティングが塗布され、パターン線のところのコーティングを除去することによりパターン線がすでに形成されている。この方法は、フォトマスクに関連するウェハ露光フィールドの領域を横切ってCD変動を決定するステップと、所定の目標値より大きなCD変動が決定されたウェハ露光フィールドの領域と相関する領域内のフォトマスクの基板内に遮光素子(SE)を供給するステップとを含み、それにより、遮光素子が、領域を通過する光を減衰してウェハ上のCD変動を補償し、従って、改善されたCD許容ウェハを供給する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
対応するフォトマスクの臨界寸法(CD)を補正することにより、ウェハのパターン線の前記CDの変動を補償するための方法であって、前記フォトマスクが、2つのほぼ対向する面、すなわち、第1の背面および第2の前面を有する透明基板を有し、前記前面上には吸収性コーティングが塗布され、前記パターン線のところの前記コーティングを除去することによりパターン線がすでに形成されていて、前記方法が、 前記フォトマスクに関連するウェハ露光フィールドの領域を横切ってCD変動を決定するステップと、 所定の目標値より大きなCD変動が決定された前記ウェハ露光フィールドの領域と相関する領域内の前記フォトマスクの基板内に遮光素子を供給するステップとを含み、 それにより、前記遮光素子が前記領域を通過する光を減衰して前記CD変動を補償する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (3件)：
H01L21/30 516D ,  H01L21/30 502P ,  G03F1/08 A
Fターム (8件)：
2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  2H095BD21 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DB01 ,  5F046DB05
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • US20040067422号公報
審査官引用 (30件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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