特許

J-GLOBAL ID：200903060332808786

真空電界放出エミッターの作製方法

発明者： 柿沼 弘明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-005269
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195165
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 O2 やH2 O分子のエミッターへの吸着を低減する。【構成】 エミッター形成予定領域上に円のSiNx11を形成して、コーン状の高さ約1μmのエミッター12を形成する。その後、絶縁膜13及びゲート電極14を形成する。次に、膜厚10〜100nmのダイヤモンド薄膜15を成膜する。真空チャンバー内にCF4 /O2 、NF3 、F2 又はSF6 等、通常のシリコンのエッチングに用いられるFを含むガスを気圧が0.1〜1Torrとなるように導入して、高周波(13.56MHz)又はマイクロ波(2.45GHz)の放電によりプラズマ化して、Fラジカルを発生させる。このFラジカルは、ダイヤモンド表面のCと結合して=C-F基を作り、エミッター12の表面を=C-F基の膜15aで被膜する。その後、シリコン基板11に対向にしてアノード15等を配設する。

請求項（抜粋）：

真空中で近接して配置されるゲート電極によりかけられる電界により電子を放出する真空電界放出エミッターの作製方法において、表面が炭素を主な素材で覆われ、突出した形状を有するエミッターを形成する工程と、前記エミッターの表面の炭素とフッ素を反応させて、表面にC-F基を生成する工程とを、順に施すことを特徴とする真空電界放出エミッターの作製方法。