特許

J-GLOBAL ID：200903060333706430

半導体の成長方法、半導体発光素子の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 河合 弘治 ,  池田 昌夫 ,  中村 文彦 ,  橋本 茂樹 ,  朝妻 庸紀 ,  簗嶋 克典
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-063811
公開番号（公開出願番号）：特開2006-229241
出願日： 2006年03月09日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】GaInN層などのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でInを含まない別の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の劣化を防止し、Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を高品質とする。【解決手段】Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にこの層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でAlGaNからなる保護膜を成長させ、その上にInを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる場合に、Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層および保護膜を成長させる際のキャリアガスとしてN2 を用い、Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる際のキャリアガスとしてH2 とN2 との混合ガスを用いる。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層上にこのInを含む窒化物系III-V族化合物半導体層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でAlGaNからなる保護膜を気相成長させ、この保護膜上にInを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させるようにした半導体の成長方法において、 上記Inを含む窒化物系III-V族化合物半導体層および上記保護膜を気相成長させる際のキャリアガスとしてN2 を用い、上記Inを含まない窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させる際のキャリアガスとしてH2 とN2 との混合ガスを用いるようにした ことを特徴とする半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (4件)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AC15 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F173AG11 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AR23