特許

J-GLOBAL ID：200903060338756303

多値型半導体記憶装置

発明者： 藤 幸雄
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163912
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016379
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 高速かつ安定動作を確保しつつ、チップ面積を最小にしうる多値型半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 n種類のしきい値のうち1つのしきい値が設定されたメモリセルと、該メモリセルを選択するワード線と、該ワード線を出力するXデコーダと、前記メモリセルの出力を増幅するセンスアンプと、端のしきい値を除いたn-1種類のしきい値が各々に設定されたn-1個のリファレンスセルと、各々の前記リファレンスセルの出力を増幅するn-1個のリファレンスアンプと、各々の該リファレンスアンプの出力と前記センスアンプの出力とを入力するn-1個の差動増幅器と、前記n-1個の差動増幅器の出力をエンコードするエンコーダと、前記ワード線の電圧に隣り合う前記しきい値の半分の電圧のオフセットを付けた電圧を全ての前記リファレンスアンプに供給する分圧回路とを備える。

請求項（抜粋）：

n(nは2以上の任意の整数)種類のしきい値のうち1つのしきい値が設定されたMOSトランジスタ型のメモリセルと、該メモリセルのゲートに接続するワード線と、該ワード線を出力するXデコーダと、前記メモリセルのドレイン出力を増幅するセンスアンプと、前記しきい値の端を除いたn-1種類のしきい値が各々に設定されたn-1個のMOSトランジスタ型のリファレンスセルと、前記リファレンスセルの各々のドレイン出力を増幅するn-1個のリファレンスアンプと、該リファレンスアンプの各々の出力と前記センスアンプの出力とを入力するn-1個の差動増幅器と、前記n-1個の差動増幅器の出力をエンコードするエンコーダと、前記ワード線を入力し、該ワード線の電圧に隣り合う前記しきい値の半分の電圧のオフセットを付けた電圧を全ての前記リファレンスセルのゲートに供給する分圧回路とを備えることを特徴とする多値型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 634 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-143796
  
• 特開平4-265599
  
• 半導体メモリ集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024586   出願人：九州日本電気株式会社