特許

J-GLOBAL ID：200903060341397446

太陽電池

発明者： 西谷 幹彦 ,  和田 隆博 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017410
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218476
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 i層のEg が厚さ方向に小さく傾斜しており、n層のEg がi層より大きく形成され、n層とi層との接合部においてn層の伝導帯及び価電子帯のエネルギー準位がi層より各々低く形成され、i層とp層との接合部においてp層の伝導帯及び価電子帯のエネルギー準位がi層より各々高く形成されることにより、多数キャリアの移動が円滑になると共に少数キャリアの移動が阻止されるため、キャリア再結合が抑制され、エネルギー変換効率が向上する。【構成】 ガラス基板の上に、透光性の下部電極であって且つn型半導体層1として機能するSnO2 層を形成し、その上にi型半導体層2としてCdS(1-X) TeX (但し、0≦x≦1)からなる傾斜組成層を1μmの厚さで形成し、更に、p型半導体層3としてZnTe層を0.5μmの厚さで形成し、その上に、上部電極としてAu層を形成する。

請求項（抜粋）：

光入射側から順次、n型半導体層、i型半導体層及びp型半導体層が接合された太陽電池であって、前記i型半導体層のバンドギャップが、光入射側から厚さ方向に対して小さくなるように傾斜しており、前記n型半導体層のバンドギャップが前記i型半導体層のものより大きく形成され、且つ、前記n型半導体層と前記i型半導体層との接合部において前記n型半導体層の伝導帯下端及び価電子帯上端のエネルギー準位が前記i型半導体層のものより各々低く形成され、前記i型半導体層と前記p型半導体層との接合部において前記p型半導体層の伝導帯下端及び価電子帯上端のエネルギー準位が前記i型半導体層のものより各々高く形成されていることを特徴とする太陽電池。