特許

J-GLOBAL ID：200903060344614880

基板から有機反射防止膜をエッチングする処理法

発明者： ガンミング ジャウ ,  テリー コ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189903
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098029
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】シリコン含有基板から有機耐反射膜をエッチングする処理法を提供する。【解決手段】基板は、処理チャンバ内に配備され、また、酸素並びに、水素と臭素とを含む化合物で構成される族から選択された化合物、水素と沃素を含む化合物、及びチャンバ内に導入されたそれらの混合物で形成されるプロセスガスは、チャンバ内に導入される。その化合物は、好ましくはHBrである。プロセスガスのプラズマは、皮膜をエッチングするため処理チャンバ内で生成される。処理は、優れた限界範囲制御で皮膜の異方性のエッチングを実質的に提供し、基板に関する皮膜の高度な選択性、並びに皮膜の高度なエッチング速度を提供する。

請求項（抜粋）：

基層上の有機層をエッチングする処理法であって、(a) O及び(i) HとBrの双方を含む化合物、及び(ii) HとIの双方を含む化合物からなるグループから選択された少なくともひとつのパッシべーション化合物を含む処理ガスをエッチングゾーンに導入し、(b) 導入されたガスからプラズマを発生させ、(c) 前記有機層をプラズマと接触させる各工程を含むエッチングする処理法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  C23F 4/00

FI (4件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/40 521 ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/30 574