特許
J-GLOBAL ID:200903060346832639
化学増幅フォトレジスト組成物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-120452
公開番号(公開出願番号):特開平8-328253
出願日: 1996年05月15日
公開日(公表日): 1996年12月13日
要約:
【要約】【課題】 マイクロブリッジを形成することなく信頼性のあるサブミクロン級のパターン形成が可能な、改良された、PHSベースの化学増幅ネガティブ調フォトレジストを提供する。【解決手段】 ポリヒドロキシスチレン(PHS)をベースとする化学増幅ネガティブ調フォトレジストにおけるマイクロブリッジの形成は、PHSをPHSとポリメタクリル酸メチル(PMMA)などのアクリル・ポリマーとのコポリマーと混合すると防止される。この混合物は少なくとも10重量%のコポリマーを含む。本発明は、広い範囲の分子量(2000〜50000ドルトン)のポリマーで実施可能であり、現像は工業標準の2.38重量%水酸化トリメチルアンモニウム(TMAH)現像液を用いて、フォトレジストに悪影響を及ぼすことなく達成できる。
請求項(抜粋):
少なくとも10重量%のポリヒドロキシスチレンとアクリル・ポリマーとのコポリマーと、90重量%までのポリヒドロキシスチレンとを有するポリマー混合物と、放射線露光により酸を生ずる酸生成化合物と、前記酸生成化合物から形成された前記酸によって活性化可能な架橋剤とを含む放射線感受性の化学増幅されたネガティブ調フォトレジスト組成物。
IPC (7件):
G03F 7/038 505
, C08F 12/22 MJU
, C08L 25/18 LEK
, C08L 33/04 LJB
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, H01L 21/027
FI (7件):
G03F 7/038 505
, C08F 12/22 MJU
, C08L 25/18 LEK
, C08L 33/04 LJB
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, H01L 21/30 502 R
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