特許

J-GLOBAL ID：200903060348282610

レジスト組成物とレジストパターンの形成方法

発明者： 小林 倫子 ,  福山 俊一 ,  大倉 嘉之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327215
公開番号（公開出願番号）：特開平5-158235
出願日： 1991年12月11日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 レジスト組成物とレジストパターンの形成方法に関し、解像性と耐ドライエッチング性に優れたレジストを実用化することを目的とする。【構成】 クレゾールノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとの混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加してレジスト組成物を作り、このレジストを二層構造の上層レジストとして使用し、紫外線の選択露光を行って後、アルカリ現像を施して上層レジストパターンを作り、この上層レジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行い、このパターンを下層レジストに転写することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

請求項（抜粋）：

クレゾールノボラックとナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとの混合物よりなるレジストにシリカゾルを添加してなることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/023 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

FI (3件)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 N