特許
J-GLOBAL ID：200903060349745621
太陽電池及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000008486
公開番号（公開出願番号）：WO2002-031892
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年04月18日
要約：
太陽電池100においては、半導体基板1の主表面に凹凸部が形成され、該主表面が絶縁膜3で被覆され、凹凸部を形成する凸部15の少なくとも一部のものの頂上部を包含する形にて、絶縁膜3にて被覆されていない半導体層露出領域5が主表面に形成される。半導体層露出領域5内の凸部15の頂上部25に直接又は他の導電層を介して間接的に接触するように、出力取出用電極7が形成される。半導体層露出領域5は、半導体基板1の主表面を、凹凸部15を含む形にて絶縁膜3で覆い、さらに凸部15の頂上部25以外の領域にて絶縁膜3をエッチング保護膜4で覆い、その後エッチングによって凸部15の頂上部25の絶縁膜3を除去して形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に凹凸部が形成され、該主表面が絶縁膜で被覆されている太陽電池において、前記凹凸部を形成する凸部の少なくとも一部のものの頂上部を包含する形にて前記絶縁膜にて被覆されていない半導体層露出領域が前記主表面に形成されてなり、該半導体層露出領域内において前記凸部の頂上部の先端高さ位置が、該半導体層露出領域の外周縁における前記絶縁膜の最大高さ位置よりも高くなっており、かつ前記半導体層露出領域内の前記凸部の頂上部に直接又は他の導電層を介して間接的に接触するように、出力取出用電極が形成されていることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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