特許

J-GLOBAL ID：200903060350777626

パターン形成方法、電子部材および光学部材

発明者： 長尾 茂樹 ,  竹内 久雄
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-190067
公開番号（公開出願番号）：特開2007-012787
出願日： 2005年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】基材表面に親/疎水性領域を形成した後インクを塗布することにより、機能材料のパターンを容易かつ確実に形成する。【解決手段】基材表面に親/疎水性領域を形成する工程と、該基材表面にインクを塗布する工程とを有するパターン形成方法において、親水性領域および疎水性領域に対する純水の接触角が以下の式のいずれかを満たすことを特徴とするパターン形成方法。 θ2≦10°の場合 Δθ>60° θ2>10°の場合 Δθ>40°(ただし、θ1は疎水性領域に対する純水の接触角を示し、θ2は親水性領域に対する純水の接触角を表し、Δθは、θ1とθ2との差の絶対値(|θ1-θ2|)を表す。)

請求項（抜粋）：

基材表面に、親水性領域と疎水性領域とを形成する親/疎水性領域形成工程と、 該親/疎水性領域が形成された基材表面にインクを付着させるインク付与工程とを有するパターン形成方法において、 親/疎水性領域形成工程で該基材表面に形成された親水性領域および疎水性領域に対する純水の接触角が、以下の式のいずれかを満たすことを特徴とするパターン形成方法。 θ2≦10°の場合 Δθ>60° θ2>10°の場合 Δθ>40° (ただし、θ1は疎水性領域に対する純水の接触角を示し、θ2は親水性領域に対する純水の接触角を表し、Δθは、θ1とθ2との差の絶対値(|θ1-θ2|)を表す。)

IPC (1件)：

H05K 3/12

FI (1件)：

H05K3/12 610H

Fターム (4件)：

5E343AA16 ,  5E343AA26 ,  5E343DD02 ,  5E343EE37

引用特許：

出願人引用 (1件)

• WO2004/006291号公報