特許

J-GLOBAL ID：200903060354598475

パターン形成方法および成膜装置

発明者： 中野 博之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260246
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 Si3 N4 やTiN等、孤立電子対を持つ被エッチング膜を化学増幅型レジストマスクによりパターニングする際の形状異常を防止する。【解決手段】 成膜室10とアッシング室30が連接された成膜装置を用い、成膜後に連続的にアッシングを施して、表面が改質された被エッチング膜上に化学増幅レジスト膜を形成する。【効果】 アッシングにより被エッチング膜表面の孤立電子対は消失あるいは減少し、露光・PEBにより生成するプロトン酸が被エッチング膜表面の孤立電子対により消費される現象が防止される。したがって、レジストマスクの裾引きやくびれ等の形状異常が防止される。アッシングは、同一の成膜装置内で連続的に施されるので、成膜やアッシング処理のスループット低減も防止される。

請求項（抜粋）：

下地基板上に、窒素原子を構成原子とする被エッチング膜を形成する工程、前記被エッチング膜の形成工程に続き、連続的に前記被エッチング膜表面にアッシング処理を施す工程、前記被エッチング膜上に化学増幅レジスト膜を形成する工程、前記化学増幅レジスト膜を選択的に露光する工程、前記選択的に露光された化学増幅レジスト膜を現像してレジストマスクを形成する工程、前記レジストマスクをマスクとして、前記被エッチング膜をエッチングする工程を有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (5件)：

H01L 21/30 563 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 D