特許

J-GLOBAL ID：200903060356027637

半導体装置とその製造方法

発明者： 安井 隆 ,  吉岡 守
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292152
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102475
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 入出力部のMOSトランジスタをLDD構造とし、保護ダイオードをシングル拡散層構造としてESD耐圧を向上させ。【構成】 入力ライン10には入力パッド18とインバータ12の間に入力保護のためのPMOSトランジスタ20とNMOSトランジスタ22が接続され、保護抵抗24が直列に接続され、さらに保護ダイオード26と28が接続されている。入力保護MOSトランジスタ20,22はLDD構造をしているが、保護ダイオード26,28はLDD構造ではなくシングル拡散層構造になっている。

請求項（抜粋）：

入力保護トランジスタ又は出力トランジスタとしてLDD構造のMOSトランジスタを有し、前記MOSトランジスタに並列にシングル拡散層構造の保護ダイオードを有する入出力セルを備えた半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/336 ,  H02H 7/20

FI (2件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 301 L