特許

J-GLOBAL ID：200903060356791558

半導体薄膜の製造方法

発明者： 田邉 浩 ,  世良 賢二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-297169
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153684
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタ形成用の多結晶シリコン薄膜中の酸素濃度を均一化して同一基板上に形成する薄膜トランジスタのしきい値のばらつきを低減する。【構成】低アルカリガラス基板1上に形成してa-Si薄膜2の上にLPCVD法でSiO2 膜3を形成してa-Si薄膜2の表面に酸素を拡散した後、SiO2 膜3を除去してエキシマレーザビーム4でアニールし、多結晶シリコン薄膜5を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜の表面に酸素を供給する工程と、前記アモルファスシリコン薄膜にレーザビームを照射してアニールし膜厚方向の酸素濃度分布を調整した多結晶シリコン膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-085520
  
• 特開昭57-124423