特許

J-GLOBAL ID：200903060358030864

化合物半導体の表面処理方法

発明者： 廣瀬 富佐雄 ,  孝谷 卓哉
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071965
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270721
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体のInAlAs層に良好なショットキー特性を得ることができるショットキー接触を形成する際の表面処理を得る。【解決手段】 InAlAs/InGaAs系HEMTの製造工程において、半絶縁性のInP基板にMBE法により、InAlAsバッファ層、InGaAsチャネル層、InAlAsスペーサ層、SiドープInAlAsキャリア供給層、InAlAsゲート接触層、高濃度SiドープInGaAsオーミック接触層が所定の膜厚で積層され、メサ形成およびソース・ドレイン電極を形成した後、リセスエッチングによりリセスを形成する。露出したゲート接触層にクエン酸水溶液によりエッチング処理を行ない表面に発生している表面酸化膜あるいはプラズマダメージ層を除去し、ゲート電極を蒸着およびリフトオフにより形成する。ゲート接触層表面のAlの組成比を低下させることなく表面を清浄にでき、良好なショットキー特性を得ることができる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体のショットキー接触を形成する領域に対応して行なう化合物半導体の表面処理方法において、前記化合物半導体の表面に対して前記ショットキー接触を形成する工程に先だってクエン酸によりエッチング処理を行なって表面酸化膜あるいはプラズマダメージ層を除去することを特徴とする化合物半導体の表面処理方法。

IPC (4件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/48 Z ,  H01L 21/28 A ,  H01L 29/80 F