特許

J-GLOBAL ID：200903060362058226

プラズマCVD装置

発明者： 小川 容一 ,  水村 哲夫 ,  矢野 亮 ,  草田 英夫 ,  久保田 隆 ,  浅野 巳知男 ,  若居 邦夫
出願人/特許権者： 日立マクセル株式会社
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-221593
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298764
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：

【要約】【課題】 基体に損傷もしくは変質が生じることなく、連続的に成膜が可能な連続プラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 高周波バイアスの周波数を50KHz〜900KHzの範囲とし、高周波電源と導電性を有する薄膜の間に、静電容量Cと高周波周波数fの積C・fが0.02(F・Hz)以上になるようなブロッキングコンデンサを介在させ、基体搬送系の高周波絶縁性として基体供給ローラから回転ドラムに至る経路の全てのローラのインピーダンスの合計を少なくとも10kΩ以上、回転ドラムから巻取ローラに至る経路の全てのローラのインピーダンスの合計を少なくとも10kΩ以上とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ローラ系を介して回転ドラム上を移動する導電性を有する基体表面にプラズマにより連続的に成膜するプラズマCVD装置において、前記基体の供給ローラから回転ドラムに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を10kΩ以上、かつ回転ドラムから巻取ローラに至る経路の全てのローラのローラ表面とアース電位の間のインピーダンスの合計を10kΩ以上とし、前記基体とその基体に高周波を印加する高周波電源の間にブロッキングコンデンサを介在させたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/85

FI (3件)：

C23C 16/44 F ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/85 Z