特許
J-GLOBAL ID：200903060364398822
問題工程特定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-042182
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253603
出願日： 2003年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】薄膜デバイスの製造工程において、問題の発生した工程・装置を容易に特定することが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体ウェハの製造工程における問題工程特定システム110であって、インライン検査装置102a,102bから検査情報を入力し、欠陥位置情報あるいは外観情報を用いて自動的に異常検知し、異常がある場合は上位データベース105から装置評価情報106、製品検査情報107、製造経路情報108などの必要な情報をダウンロードして解析を行い、問題工程・装置の特定を行う。このように、インライン検査情報の入力をきっかけとして自動的に異常検知し、上位データベース105から必要な情報をダウンロードして解析するので、オペレータが解析対象を選択する必要がなく、容易に問題工程・装置の特定が可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の工程を経て製造される薄膜デバイスの製造工程において、製造過程で実施される製品検査結果に基づき、欠陥の原因となった問題工程を特定する方法であって、
一枚の製品基板の検査工程で得られる欠陥の分布情報または外観情報を含む製品検査情報をロードし、
前記欠陥の分布情報あるいは外観情報に基づいて自動的に異常検知を行い、
異常があった場合、上位データベースより所定の情報をロードし、
前記製品検査情報および前記所定の情報に基づき、装置評価情報照合解析、共通経路解析、機差解析、装置ログ相関解析のいずれか、あるいはそれらの任意の組み合わせによって問題工程を特定することを特徴とする問題工程特定方法。
IPC (3件)：
H01L21/66
, G01N21/956
, H01L21/02
H01L21/66 Z
, H01L21/66 J
, G01N21/956 A
, H01L21/02 Z
2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051EA12
, 2G051EA14
, 2G051EC01
, 2G051EC02
, 2G051EC07
, 2G051FA01
, 4M106AA01
, 4M106CA38
, 4M106CA42
, 4M106DA15
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
, 4M106DJ38
