特許

J-GLOBAL ID：200903060364566784

半導体素子形成領域の配置決定方法、半導体素子形成領域の配置決定用プログラム、及び半導体素子の製造方法

発明者： 土師 宏 ,  有田 潔 ,  中川 顕 ,  野田 和宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-225103
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049403
出願日： 2004年08月02日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 1枚の半導体ウェハより異なる形状を有する複数の種類の半導体素子を製造することができ、多品種少量生産に柔軟に対応可能とする。【解決手段】 素子形成有効領域を区分して複数の区分領域を形成し、第1の区分領域内に複数の第1の上記単位素子形成領域を配置するとともに、第2の区分領域内に上記第1の単位素子形成領域とは異なる形状を有する複数の第2の上記単位素子形成領域を配置して、上記第1の区分領域内において他の上記区分領域とは独立して上記第1の単位素子形成領域の配置数が最大となる配置と、上記第2の区分領域内において他の上記区分領域とは独立して上記第2の単位素子形成領域の配置数が最大となる配置を、上記素子形成有効領域全体における上記それぞれの単位素子形成領域の配置として決定する。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

半導体ウェハにおける素子形成有効領域内に、半導体素子を形成するための領域である複数の単位素子形成領域の配置を決定する方法であって、 上記素子形成有効領域を区分して複数の区分領域を形成し、 上記それぞれの区分領域のうちの第1の上記区分領域内に1又は複数の第1の上記単位素子形成領域を配置するとともに、第2の上記区分領域内に上記第1の単位素子形成領域とは異なる形状を有する1又は複数の第2の上記単位素子形成領域を配置して、 上記第1の区分領域内において上記第1の単位素子形成領域の配置数が、他の上記区分領域とは独立して最大となる配置と、上記第2の区分領域内において上記第2の単位素子形成領域の配置数が、他の上記区分領域とは独立して最大となる配置を、上記素子形成有効領域全体における上記それぞれの単位素子形成領域の配置として決定することを特徴とする半導体素子形成領域の配置決定方法。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  G06F 17/50

FI (2件)：

H01L21/82 C ,  G06F17/50 658A

Fターム (12件)：

5B046AA08 ,  5B046BA04 ,  5F064BB09 ,  5F064BB13 ,  5F064BB15 ,  5F064DD02 ,  5F064DD03 ,  5F064DD10 ,  5F064GG03 ,  5F064HH06 ,  5F064HH13 ,  5F064HH14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体チップのレイアウト方法及びレイアウト装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-354197   出願人：日本ビクター株式会社
• 半導体装置の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-186636   出願人：セイコーエプソン株式会社
• ショットマップ作成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-036700   出願人：富士通株式会社
• チップ配置決定装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-060902   出願人：キヤノン株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェーハ及び該半導体ウェーハの分割方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-329764   出願人：株式会社ディスコ
• 最大理論収量の自動計算装置および最大理論収量の自動計算をコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-078624   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭59-220947
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057730   出願人：日本電気株式会社