特許
J-GLOBAL ID:200903060364779648
半導体素子用ワイヤの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-359402
公開番号(公開出願番号):特開2001-176913
出願日: 1999年12月17日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】 半導体素子用ワイヤの製造においてワイヤの直線性を向上させること。【解決手段】 インゴットを伸線加工して得られるワイヤを焼鈍処理した後に、スプール外周に所定長さを巻き替える半導体素子用ワイヤの製造方法において、最終の焼鈍における焼鈍炉の出口からスプールへの前記巻き替えまでの間にワイヤの方向変換に用いるガイドとして、ワイヤとの接触部が500d以上(但し、dはワイヤ直径)500mm以下の直径に相当する曲率を有するガイドを用いる。
請求項(抜粋):
インゴットを伸線加工して得られるワイヤを焼鈍処理した後に、スプール外周に所定長さを巻き替える半導体素子用ワイヤの製造方法において、最終の焼鈍における焼鈍炉の出口からスプールへの前記巻き替えまでの間にワイヤの方向変換に用いるガイドとして、ワイヤとの接触部が500d以上(但し、dはワイヤ直径)500mm以下の直径に相当する曲率を有するガイドを用いることを特徴とする半導体素子用ワイヤの製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/60 301
, B21F 1/02
FI (2件):
H01L 21/60 301 F
, B21F 1/02 B
Fターム (9件):
4E070AA04
, 4E070AB14
, 4E070AC01
, 4E070BC03
, 4E070BC09
, 4E070BC11
, 4E070CA01
, 4E070FA01
, 5F044FF10
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