特許

J-GLOBAL ID：200903060365997169

半導体装置

発明者： 池田 光志 ,  水谷 嘉久 ,  上田 知正 ,  山路 貴美 ,  遠藤 尚彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072827
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274503
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 スイッチング素子用の半導体島パターンを形成するためのマスク合わせが不要で、しかも光リークの改善された液晶表示装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体島パターンが自己整合により形成されている半導体装置および半導体装置の製造方法による。

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極を形成し、該ゲート電極上に、ゲート絶縁膜、チャネル層およびオーミックコンタクト層を介してソース電極とドレイン電極を設けてなる半導体装置において、前記ソース電極と前記ドレイン電極間の狭ギャップ部分にのみ半導体島パターンを自己整合により形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 618 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 627 C