特許

J-GLOBAL ID：200903060367234375

パターン露光の補正方法

発明者： 坂口 弘一 ,  長谷川 昇雄 ,  村井二三夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143961
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326349
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】前工程で生じた応力歪による基板平面の水平方向のパターンの位置ずれに対して補正する簡便な補正方法を提供する。【解決手段】1回に露光する領域を複数区分に分割し、分割した一区分の領域33内では一定の量でパターン位置に対して補正を加える。

請求項（抜粋）：

露光装置により半導体基板に複数層のパターンを転写する一工程であって、その前の工程で応力を生じる膜を加工する工程がある場合に、1回に露光する領域を複数の領域に区分し、前記複数に分割した一区分を一単位とし、前記一単位の領域内では、その領域での成膜部分の占有面積率をその領域全体にわたって均等の厚さでついている膜の膜厚に換算して、補正量の演算を行って得た一定の量でパターンの平面上の位置に補正値を加えることを特徴とするパターン露光の補正方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/30 502 W ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 27/10 681 E