特許

J-GLOBAL ID：200903060367335333

半導体装置およびその製造方法

発明者： 中丸 力
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287799
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135376
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のモールドにおいて、キュアタイムを長くすることなくモールド樹脂と配線基板との接着性を向上させる。【解決手段】 集積回路が形成された半導体チップ3と、絶縁性を有するベース材とこのベース材に形成された配線メタライズにより構成され、一方面に半導体チップ3が搭載された配線基板4と、この配線基板4の封止領域と接着して半導体チップ3を樹脂封止するモールド樹脂7と、配線基板4の他方面から突出して複数設けられ、配線メタライズを介して半導体チップ3と電気的に接続されたバンプとを有する半導体装置1において、モールド金型11のゲート16の近傍に対応した封止領域の箇所に凹部9を形成する。

請求項（抜粋）：

集積回路が形成された半導体チップと、絶縁性を有するベース材とこのベース材に形成された配線メタライズにより構成され、一方面に前記半導体チップが搭載された配線基板と、前記配線基板の封止領域と接着して前記半導体チップを樹脂封止するモールド樹脂と、前記配線基板の他方面から突出して複数設けられ、前記配線メタライズを介して前記半導体チップと電気的に接続された導通部材とを備え、モールド金型のゲート近傍に対応した前記封止領域の箇所に凹部または凸部が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 F